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AI芯片封装逼近掩模极限,台积电与英特尔路线分化

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AI 综述

台积电的CoWoS-L封装方案预计到2028年仍是AI芯片主流先进封装方案,凭借的是成熟度和良率优势。与此同时,AI芯片封装尺寸正逼近掩模极限:英伟达Blackwell GPU封装已达约3.3倍掩模极限,下一代Rubin平台预计达4倍;CoWoS硅中介层尺寸计划2026年扩至5.5倍、约4719mm²。 英特尔在2026年ECTC展示的EMIB-T方案将凸点间距缩至25微米、封装扩至120mm×120mm,Google预计2027年采用。两条路线由此形成竞争。

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10月29日
  1. 钛媒体
    AI芯片封装逼近掩模极限:CoWoS-L与EMIB-T路线之争

    台积电CoWoS-L凭借成熟度和良率优势,预计到2028年仍是AI芯片主流先进封装方案。英伟达Blackwell GPU封装已达约3.3倍掩模极限,下一代Rubin平台预计达4倍;CoWoS硅中介层尺寸计划2026年扩至5.5倍、约4719mm2。英特尔EMIB-T在2026年ECTC展示的方案将凸点间距缩至25微米、封装扩至120mm×120mm,Google预计2027年采用。

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