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传三星电子、SK 海力士 2027Q2 量产 8Hi HBM4 并向英伟达出货

传三星电子、SK 海力士 2027Q2 全面量产并向英伟达出货 8Hi HBM4 内存

AI 导读

韩媒 ZDNET Korea 报道称,三星电子与 SK 海力士计划在 2027 年第 2 季度全面量产八层堆叠 8Hi HBM4 内存堆栈并向英伟达出货。两家当前产出的 HBM4 主要为容量更大的 12Hi 版本,而堆叠更高会带来良率下滑。

正文

IT之家 10 月 26 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称,三星电子、SK 海力士两家 DRAM 制造商计划在 2027 年第 2 季度实现八层堆叠 (8Hi) HBM4 内存堆栈的全面量产并向 NVIDIA(英伟达)出货。

三星电子、SK 海力士当前产出的 HBM4 内存主要为容量更大的 12Hi 版本。但这也意味着单一堆栈中包含更多 DRAM Die,同等带宽成本更高、堆栈更少,且堆叠更高也意味着良率的下滑。

报道宣称英伟达在 2026Q3 就 8Hi HBM 供应事宜同两大原厂进行了认真讨论。这一计划变更主要是因为英伟达考虑在 Rubin Ultra 和标准 Rubin 中应用 8Hi HBM4 (E),优化整体供应。

IT之家注意到,英伟达已将 HGX Vera Rubin NVL8 和 HGX Rubin NVL8 的规格调整为系统合计 2TB HBM4,这应该对应着 8Hi 32GB 的 HBM4 堆栈。

来源:IT之家 · ithome.com