FCC限制下中国光芯片高端EML良率待突破
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FCC限制下中国光芯片高端EML良率待突破
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AI 综述
钛媒体授权发布锦缎文章称，在FCC限制阴影下，中国光芯片产业面临竞争压力，高端EML良率国内仅为海外一半，200G EML良率仅40-50%。 文章称，光芯片占光模块成本30%以上，高速率迭代下有望升至60%。2026-2028年是国产替代宝贵且短暂的窗口期，国内厂商需在CW激光器突破基础上向高端EML攻坚。
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最新进展10月26日 13:37
FCC阴影下，中国光芯片的生死竞速报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月26日
- 钛媒体FCC阴影下，中国光芯片的生死竞速
钛媒体授权发布锦缎文章，分析FCC限制阴影下中国光芯片产业面临的竞争压力。光芯片占光模块成本30%以上，高速率迭代下有望升至60%，但高端EML良率国内仅为海外一半，200G EML良率仅40-50%。2026-2028年是国产替代宝贵且短暂的窗口期，国内厂商需在CW激光器突破基础上向高端EML攻坚。
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