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黄仁勋:2029 年内存不太可能过剩,英伟达将继续大量使用 HBM 与 LPDDR

黄仁勋称 2029 年不太可能出现内存过剩,英伟达仍会大量使用

AI 导读

英伟达 CEO 黄仁勋表示,到 2029 年内存芯片行业不太可能出现过剩,高带宽内存 HBM 未来数年内仍将被持续广泛采用。他称英伟达是全球首家将手机所用 LPDDR 内存引入数据中心的企业,可提供比当今任何产品高出一倍能效的性能,因此将继续大量使用。此番表态正值存储板块股票因产能过剩与需求放缓担忧遭集中抛售。

正文

IT之家 10 月 23 日消息,据 CNBC 报道,英伟达 CEO 黄仁勋周四接受采访时表示,到 2029 年,内存芯片行业不太可能出现过剩的情况。此前一周,由于市场对产能过剩和需求放缓的担忧,存储板块股票遭遇集中抛售。

黄仁勋指出,“内存的一大好处是,你总是可以用得更多(You can always use more)。”他补充说,高带宽内存 HBM 在未来数年内仍将被持续广泛采用。

黄仁勋还表示,“我们是全球首家将手机中采用的 LPDDR 内存引入数据中心的企业。这使我们能够提供比当今世界上任何产品高出一倍能效的性能,因此我们也将继续大量使用它们。”

IT之家注意到,过去一周,存储板块股票全线受挫。此前,韩国知名媒体 Maeil Business 发文,呼吁韩国政府警惕 AI 行业热潮降温。该文援引两位行业专家观点指出,预计届时将出现“大量新增产能涌入”,称会在 2029 年将存储市场“推向一片血雨腥风的红海”。

来源:IT之家 · ithome.com